• 近期LBET竞技, 我院阮毓榮研究生、張健敏副教授、黃志高教授等的研究成果在《Physical Chemistry Chemical Physics》上發表

    時間:2020-02-27瀏覽:237

    近期, 我院阮毓榮研究生LBET竞技、張健敏副教授、黃志高教授等的研究成果Robustness of the electronic structure and charge transfer in topological insulator Bi2Te2Se and Bi2Se2Te thin films under an external electric field在《Physical Chemistry Chemical Physics》上發表。

    論文簡介如下: 

    通過基于密度泛函理論的第一性原理計算LBET竞技,我們系統地研究了拓撲絕緣體Bi2Te3-xSex薄膜在外加電場中的電子性質和電荷轉移LBET竞技。計算結果表明Bi2Te3-xSex薄膜的能隙將隨著Se原子含量的增加而增大LBET竞技LBET竞技,并且電荷分布也將隨之發生變化,這與體系中SOC作用的減弱有著密不可分的關聯。此外,我們發現Bi2Te2Se和Bi2Se2Te這兩種在自然界中穩定存在的薄膜對外加電場有著極強的魯棒性,它們的電子結構在高達0.2V/?的垂直電場中幾乎沒有變化LBET竞技,只在費米能級附近出現由上下表面電勢差導致的Rashba形劈裂,并且它們的電荷轉移性質也很難受到外加電場的影響LBET竞技,通過分析我們認為Te和Bi原子間的強共價鍵在其中扮演了極為關鍵的作用。Bi2Te2Se和Bi2Se2Te薄膜表現出的這一穩健特將有效避免電子設備中的電場干擾,這為拓撲絕緣體在自旋電子設備的潛在應用提供了參考LBET竞技。

    全文鏈接:https://doi.org/10.1039/C9CP06206H


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